Kanarsky, T.S.: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (26)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

[IEEE IEEE International Electron Devices Meeting - San Francisco, CA, USA (8-11 Dec. 2002)] Digest. International Electron Devices Meeting, - Metal-gate FinFET and fully-depleted SOI devices using total gate silicidation

Kedzierski, J., Nowak, E., Kanarsky, T., Zhang, Y., Boyd, D., Carruthers, R., Cabral, C., Amos, R., Lavoie, C., Roy, R., Newbury, J., Sullivan, E., Benedict, J., Saunders, P., Wong, K., Canaperi, D.,

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 312 KB

english, 2002

2

[Japan Soc. Appl. Phys 2001 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers - Kyoto, Japan (12-14 June 2001)] 2001 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.01 CH37184) - Strained Si NMOSFETs for high performance CMOS technology

Rim, K., Koester, S., Hargrove, M., Chu, J., Mooney, P.M., Ott, J., Kanarsky, T., Ronsheim, P., Ieong, M., Grill, A., Wong, H.-S.P.

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 263 KB

english, 2001

3

Fabrication of metal gated FinFETs through complete gate silicidation with Ni

Kedzierski, J., Meikei Ieong, Kanarsky, T., Ying Zhang, Wong, H.-S.P.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.42 MB

english, 2004

4

[IEEE IEEE International Electron Devices Meeting 2003 - Washington, DC, USA (8-10 Dec. 2003)] IEEE International Electron Devices Meeting 2003 - Device design considerations for ultra-thin SOI MOSFETs

Doris, B., Ieong, M., Zhu, T., Zhang, Y., Steen, M., Natzle, W., Callegari, S., Narayanan, V., Cai, J., Ku, S.H., Jamison, P., Li, Y., Ren, Z., Ku, V., Boyd, T., Kanarsky, T., D'Emic, C., Newport, M.,

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 289 KB

english, 2003

5

[IEEE 2002 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers - Honolulu, HI, USA (11-13 June 2002)] 2002 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.01CH37303) - Characteristics and device design of sub-100 nm strained Si N- and PMOSFETs

Rim, K., Chu, J., Chen, H., Jenkins, K.A., Kanarsky, T., Lee, K., Mocuta, A., Zhu, H., Roy, R., Newbury, J., Ott, J., Petrarca, K., Mooney, P., Lacey, D., Koester, S., Chan, K., Boyd, D., Ieong, M., W

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 279 KB

english, 2002

6

[IEEE IEEE International Electron Devices Meeting - San Francisco, CA, USA (8-11 Dec. 2002)] Digest. International Electron Devices Meeting, - Extreme scaling with ultra-thin Si channel MOSFETs

Doris, B., Meikei Ieong,, Kanarsky, T., Ying Zhang,, Roy, R.A., Dokumaci, O., Zhibin Ren,, Fen-Fen Jamin,, Leathen Shi,, Natzle, W., Hsiang-Jen Huang,, Mezzapelle, J., Mocuta, A., Womack, S., Gr

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 274 KB

english, 2002

7

Relação entre desmame precoce e alergias alimentares

JOSÉ, Dayane Kanarski Bernardino, VITIATO, Jéssica Antunes, HASS, Karina, FRANÇA, Tauani Caroline Santos, VICENTE, Mariana Abe

Журнал:

Visão Acadêmica

Рік:

2017

Файл:

PDF, 443 KB

2017

8

Strained Si CMOS (SS CMOS) technology: opportunities and challenges

K. Rim, R. Anderson, D. Boyd, F. Cardone, K. Chan, H. Chen, S. Christansen, J. Chu, K. Jenkins, T. Kanarsky, S. Koester, B.H. Lee, K. Lee, V. Mazzeo, A. Mocuta, D. Mocuta, P.M. Mooney, P. Oldiges, J.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 536 KB

english, 2003

9

Bericht zur Prüfung im Mai 2002 über Informationsverarbeitung

Michael Aschenbrenner, Bertel Kanarski

Журнал:

Blätter der DGVFM

Рік:

2003

Мова:

german

Файл:

PDF, 332 KB

german, 2003

10

Willow volatiles influence growth, development, and secondary metabolism inAspergillus parasiticus

Ludmila V. Roze, Anna V. Koptina, Maris Laivenieks, Randolph M. Beaudry, Daniel A. Jones, Albert V. Kanarsky, John E. Linz

Журнал:

Applied Microbiology and Biotechnology

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 445 KB

english, 2011

11

Improvement of modes and circuits of bacterial leaching of sulfide concentrates

E. V. Adamov, L. N. Krylova, A. V. Kanarsky

Журнал:

Russian Journal of Non-Ferrous Metals

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 140 KB

english, 2010

12

Injecting drug users' experiences of targeted harm reduction in the Russian Federation

ROBERT POWER, NATALYA NOZHKINA, IGOR KANARSKY

Журнал:

Drug and Alcohol Review

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 557 KB

english, 2005

13

An evaluation of harm reduction interventions targeting injecting drug users in Sverdlovsk Oblast, Russia

Robert Power, Ruslan Khalfin, Natalya Nozhkina, Igor A Kanarsky

Журнал:

International Journal of Drug Policy

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 76 KB

english, 2004

14

Extension and source/drain design for high-performance FinFET devices

Kedzierski, J., Meikei Ieong, Nowak, E., Kanarsky, T.S., Ying Zhang, Roy, R., Boyd, D., Fried, D., Wong, H.-S.P.

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2003

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.12 MB

english, 2003

15

[IEEE 2009 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications (VLSI-TSA) - Hsinchu, Taiwan (2009.04.27-2009.04.29)] 2009 International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications - FinFET resistance mitigation through design and process optimization

Wang, Cindy, Chang, Josephine, Lin, Chung-Hsun, Kumar, Arvind, Gehring, Andreas, Cho, Jin, Majumdar, Amlan, Bryant, Andreas, Ren, Zhibin, Chan, Kevin, Kanarsky, Thomas, Wang, Xinlin, Dokumaci, Omer, G

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 372 KB

english, 2009

16

[IEEE Device Research Conference. Conference Digest - Notre Dame, IN, USA (25-27 June 2001)] Device Research Conference. Conference Digest (Cat. No.01TH8561) - High performance of planar double gate MOSFETs with thin backgate dielectrics

Jones, E.C., Meikei Ieong,, Kanarsky, T., Dokumaci, O., Roy, R.A., Leathen Shi,, Furukawa, T., Miller, R.J., Wong, H.S.P.

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 224 KB

english, 2001

17

[IEEE 2002 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers - Honolulu, HI, USA (11-13 June 2002)] 2002 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.01CH37303) - Mobility enhancement in strained Si NMOSFETs with HfO/sub 2/ gate dielectrics

Rim, K., Gusev, E.P., D'Emic, C., Kanarsky, T., Chen, H., Chu, J., Ott, J., Chan, K., Boyd, D., Mazzeo, V., Lee, B.H., Mocuta, A., Welser, J., Cohen, S.L., Leong, M., Wong, H.-S.

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 268 KB

english, 2002

18

[IEEE IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004. - San Francisco, CA, USA (Dec. 13-15, 2004)] IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004. - Performance comparison and channel length scaling of strained Si FETs on SiGe-on-Insulator (SGOI)

Cai, J., Rim, K., Bryant, A., Jenkins, K., Ouyang, C., Singh, D., Ren, Z., Lee, K., Yin, H., Hergenrother, J., Kanarsky, T., Kumar, A., Wang, X., Bedell, S., Reznicek, A., Hovel, H., Sadana, D., Uriar

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 289 KB

english, 2004

19

[IEEE IEEE International Electron Devices Meeting - San Francisco, CA, USA (8-11 Dec. 2002)] Digest. International Electron Devices Meeting, - Examination of hole mobility in ultra-thin body SOI MOSFETs

Zhibin Ren,, Solomon, P.M., Kanarsky, T., Doris, B., Dokumaci, O., Oldiges, P., Roy, R.A., Jones, E.C., Meikei Ieong,, Miller, R.J., Haensch, W., Wong, H.-S.P.

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 308 KB

english, 2002

20

[IEEE 2006 Symposium on VLSI Technology, 2006. Digest of Technical Papers. - Honolulu, HI, USA (June 13-15, 2006)] 2006 Symposium on VLSI Technology, 2006. Digest of Technical Papers. - Integration of Local Stress Techniques with Strained-Si Directly on Insulator (SSDOI) Substrates

Yin, H., Ren, Z., Chen, H., Holt, J., Liu, X., Sleight, J., Rim, K., Chan, V., Fried, D., Kim, Y., Chu, J., Greene, B., Bedell, S., Pfeiffer, G., Bendernagel, R., Sadana, D., Kanarsky, T., Sung, C., I

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 291 KB

english, 2006

21

[IEEE International Electron Devices Meeting. Technical Digest - Washington, DC, USA (2-5 Dec. 2001)] International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224) - Experimental evaluation of carrier transport and device design for planar symmetric/asymmetric double-gate/ground-plane CMOSFETs

Ieong, M., Jones, E.C., Kanarsky, T., Ren, Z., Dokumaci, O., Roy, R.A., Shi, L., Furukawa, T., Taur, Y., Miller, R.J., Wong, H.-S.P.

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 424 KB

english, 2001

22

An experimental study on transport issues and electrostatics of ultrathin body SOI pMOSFETs

Ren, Z., Hegde, S., Doris, B., Oldiges, P., Kanarsky, T., Dokumaci, O., Roy, R., Leong, M., Jones, E.C., Wong, H.-S.P.

Журнал:

IEEE Electron Device Letters

Рік:

2002

Мова:

english

Файл:

PDF, 235 KB

english, 2002

23

[IEEE International Electron Devices Meeting. Technical Digest - Washington, DC, USA (2-5 Dec. 2001)] International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224) - High-performance symmetric-gate and CMOS-compatible V/sub t/ asymmetric-gate FinFET devices

Kedzierski, J., Fried, D.M., Nowak, E.J., Kanarsky, T., Rankin, J.H., Hanafi, H., Natzle, W., Boyd, D., Ying Zhang,, Roy, R.A., Newbury, J., Chienfan Yu,, Qingyun Yang,, Saunders, P., Willets, C.P.

Рік:

2001

Мова:

english

Файл:

PDF, 639 KB

english, 2001

24

[IEEE Digest of Technical Papers. 2005 Symposium on VLSI Technology, 2005. - Kyoto, Japan (June 14-16, 2005)] Digest of Technical Papers. 2005 Symposium on VLSI Technology, 2005. - Investigation of CMOS devices with embedded sige source/drain on hybrid orientation substrates

Qiqing Ouyang,, Min Yang,, Holt, J., Panda, S., Huajie Chen,, Utomo, H., Fischetti, M., Rovedo, N., Jinghong Li,, Klymko, N., Wildman, H., Kanarsky, T., Costrini, G., Fried, D.M., Bryant, A., Ott,

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 493 KB

english, 2005

25

[IEEE 2011 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) - Washington, DC, USA (2011.12.5-2011.12.7)] 2011 International Electron Devices Meeting - Assessment of fully-depleted planar CMOS for low power complex circuit operation

Ren, Z., Mehta, S., Cai, J., Wu, S., Zhu, Y., Kanarsky, T., Kanakasabapathy, S., Edge, L.F., Zhang, R., Lindo, P., Koshy, J., Tabakman, K., Kulkarni, P., Sardesai, V., Cheng, K., Khakifirooz, A., Dori

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.21 MB

english, 2011

26

Nano-multilayered coatings of (TiAlSiY)N/MeN (Me=Mo, Cr and Zr): Influence of composition of the alternating layer on their structural and mechanical properties

Kravchenko, YaO., Coy, L.E., Peplińska, B., Iatsunskyi, I., Załęski, K., Kempiǹski, M., Beresnev, V.M., Kanarski, P., Jurga, S., Pogrebnjak, A.D.

Журнал:

Journal of Alloys and Compounds

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.57 MB

english, 2018